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Système de dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma sous vide poussé (PECVD)
Le PECVD capacitif à plaques parallèles est une technologie qui utilise le plasma pour activer des gaz réactifs afin de favoriser des réactions chimiques sur la surface du substrat ou dans l'espace proche de la surface afin de former des films à l'état solide. Le principe de base de la technologie de dépôt chimique en phase vapeur par plasma est que sous l'action d'un champ électrique à haute fréquence ou à courant continu, le gaz source est ionisé pour former un plasma, et le plasma à basse température est utilisé comme source d'énergie, une quantité appropriée de gaz réactif est introduit, et la décharge plasma est utilisée pour activer le gaz réactif et former un dépôt chimique en phase vapeur.
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Système de dépôt laser pulsé sphérique
Ce système est un équipement de recherche et développement pour le système de dépôt laser pulsé sphérique (PLD). La technologie de dépôt par laser pulsé est largement utilisée et peut être utilisée pour préparer des films minces de diverses substances telles que des métaux, des semi-conducteurs, des oxydes, des nitrures, des carbures, des borures, des siliciures, des sulfures et des fluorures. Il est même utilisé pour préparer certains films de matériaux difficiles à synthétiser, tels que les films de diamant et de nitrure cubique.
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