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Comment éliminer les erreurs de serrage secondaires lors de l'orientation et de la taille de cristaux de précision ?

1. Les défis de précision en science des matériaux : Dans le domaine de la recherche sur les matériaux avancés, et plus particulièrement sur les semi-conducteurs à large bande interdite tels que le carbure de silicium (SiC) et le nitrure de gallium (GaN), l'orientation cristalline est cruciale. Un écart de seulement 0,1 degré peut entraîner des fluctuations importantes de la mobilité électronique, de la conductivité thermique et de la qualité de la croissance épitaxiale.

2026/04/20
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