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Sur la base de la pulvérisation cathodique magnétron, un vide poussé et un environnement de croissance à haute température sont utilisés, ainsi que la technologie plasma, pour améliorer l'efficacité du dépôt réactif et réaliser l'épitaxie de films par pulvérisation cathodique magnétron. Le film ainsi préparé présente une meilleure orientation du réseau et des propriétés cristallines exceptionnelles. Il trouve de nombreuses applications dans les domaines de la supraconductivité quantique, des matériaux ferroélectriques, piézoélectriques et thermoélectriques, entre autres. Le vide poussé permet de réduire l'influence des impuretés et d'éviter toute réaction indésirable des particules pulvérisées avec d'autres gaz lors du dépôt.