Quelle est la différence entre DC, IF et RF dans la pulvérisation cathodique ?

L'émergence et l'application de la technologie de pulvérisation cathodique ont connu de nombreuses étapes. Après plus de 30 ans de développement, la pulvérisation cathodique magnétron est devenue une méthode incontournable pour les films minces optiques, électriques et autres films fonctionnels. Que savez-vous de cette technologie ?

La pulvérisation cathodique magnétron consiste à introduire un champ magnétique entre les deux pôles d'un champ électrique externe. Si les électrons sont soumis à la force du champ électrique, ils sont également liés par la force magnétique de Lorentz, ce qui modifie leur trajectoire, passant d'une ligne droite initiale à une cycloïde. Ce phénomène augmente la probabilité de collision d'électrons à grande vitesse avec des molécules d'argon, ce qui peut considérablement accroître le degré d'ionisation de ces molécules et réduire ainsi la pression du gaz de travail. Sous l'effet de l'accélération du champ électrique haute tension, les ions Ar bombardent la surface du matériau cible, provoquant la rupture d'un plus grand nombre d'atomes ou de molécules à la surface du matériau cible, qui se détachent de leur réseau initial et sont projetés hors du matériau cible vers le substrat. L'impact et la précipitation à grande vitesse sur le substrat forment un film mince. La pulvérisation cathodique magnétron se caractérise par un taux de formation de film élevé, une faible température de feuille, une bonne adhérence du film et un revêtement de grande surface.

La pulvérisation magnétron est divisée en pulvérisation CC, pulvérisation moyenne fréquence et pulvérisation radiofréquence :

1. Pulvérisation CC : un champ électrique CC est utilisé pour accélérer les ions gazeux et bombarder le matériau cible, de sorte que les atomes cibles sont pulvérisés et déposés sur le substrat pour former un film mince. Le principe de l'équipement de pulvérisation CC est simple et sa vitesse est également élevée pour la pulvérisation des métaux.

2. Pulvérisation moyenne fréquence : utilisation d'une alimentation CA d'une fréquence comprise entre quelques dizaines et quelques centaines de kHz pour transférer l'énergie au plasma par couplage capacitif ou inductif. L'énergie de bombardement des ions est supérieure à celle de la pulvérisation CC, ce qui permet d'obtenir un taux de dépôt plus stable et uniforme, et est adapté à la préparation de films de haute qualité.

3. Pulvérisation RF : La puissance RF est utilisée pour ioniser le matériau cible, ce qui rend le plasma généré plus stable. L'énergie de bombardement des ions est supérieure à celle de la pulvérisation moyenne fréquence. Tous les types de matériaux cibles peuvent être pulvérisés, y compris les matériaux conducteurs, semi-conducteurs et isolants. Il n'y a quasiment pas d'arc électrique et la qualité du film est excellente.

Instrument de pulvérisation magnétron à trois ciblesLe système de projection laser de notre société est équipé de trois cibles et de trois alimentations : une alimentation RF pour le revêtement par pulvérisation cathodique de matériaux non conducteurs, une alimentation CC pour le revêtement par pulvérisation cathodique de matériaux conducteurs et, en option, une cible magnétique puissante pour le revêtement par pulvérisation cathodique de matériaux ferromagnétiques. Comparé à des équipements similaires,Instrument de pulvérisation magnétron à trois cibles Il présente les avantages d'une petite taille, d'une utilisation aisée et d'une large gamme de matériaux utilisables. Il permet de préparer des films ferroélectriques monocouches ou multicouches, des films conducteurs, des films d'alliage, des films semi-conducteurs, des films céramiques, des films diélectriques, des films optiques, des films d'oxyde, des films durs, des films de polytétrafluoroéthylène, etc.Instrument de pulvérisation magnétron à trois ciblesjec'est un équipement idéal pour préparer divers films de matériaux en laboratoire.